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| UE RoHS | Complacente com isenção |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| SVHC | Sim |
| SVHC excede o ponto inicial | Sim |
| Automotivo | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Configuração | Único |
| Tecnologia de processamento | CoolMOS |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 900 |
| Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
| Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) | 3,5 |
| Temperatura de junção de funcionamento (°C) | -55 a 150 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 5,1 |
| Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (A) | 1 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 1200@10V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 28@10V |
| Carga típica @ 10V da porta (nC) | 28 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 710@100V |
| Dissipação de poder máxima (mW) | 83000 |
| Tempo de queda típico (ns) | 40 |
| Tempo de elevação típico (ns) | 20 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 400 |
| Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 70 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Empacotamento | Fita e carretel |
| Tensão de fonte de porta positiva máxima (v) | 20 |
| Tensão dianteira do diodo máximo (v) | 1,2 |
| Pin Count | 3 |
| Nome do pacote padrão | TO-252 |
| Pacote do fornecedor | DPAK |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Altura do pacote | 2,41 (máximo) |
| Comprimento do pacote | 6,73 (máximo) |
| Largura do pacote | 6,22 (máximo) |
| O PWB mudou | 2 |
| Aba | Aba |
| Forma da ligação | Gaivota-asa |