Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Intergrate multi-products, full stages service, High quality control , Customer requirement fullfillment
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| UE RoHS | Complacente |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| Automotivo | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Material | Si |
| Configuração | Fonte tripla do único dreno do quadrilátero |
| Tecnologia de processamento | HEXFET |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | P |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 30 |
| Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 21 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 4.6@10V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 58@4.5V|110@10V |
| Carga típica @ 10V da porta (nC) | 110 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 5250@15V |
| Dissipação de poder máxima (mW) | 3100 |
| Tempo de queda típico (ns) | 70 |
| Tempo de elevação típico (ns) | 47 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 65 |
| Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 25 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Empacotamento | Fita e carretel |
| Pin Count | 8 |
| Nome do pacote padrão | QFN |
| Pacote do fornecedor | EP DE PQFN |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Altura do pacote | 0,95 (máximo) |
| Comprimento do pacote | 5 |
| Largura do pacote | 6 |
| O PWB mudou | 8 |
| Forma da ligação | Nenhuma ligação |