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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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FET SOT23 TO-236AB D montado superfície do transistor de efeito de campo de NX7002AK NEXPERIA

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China FET SOT23 TO-236AB D montado superfície do transistor de efeito de campo de NX7002AK NEXPERIA wholesale
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FET SOT23 TO-236AB D montado superfície do transistor de efeito de campo de NX7002AK NEXPERIA
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Number modelo :NX7002AK
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :Qty do pacote
Detalhes de empacotamento :fita e carretel
Prazo de entrega :2 semanas
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :1000+
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O transistor do efeito de campo do modo do realce do N-canal de NX7002AK NEXPERIA (FET) em um SOT23 pequeno (TO-236AB) Superfície-montou D

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
SVHC Sim
Automotivo Não
PPAP Não
Categoria de produto Sinal pequeno
Configuração Único
Tecnologia de processamento TMOS
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 60
Tensão de fonte de porta máxima (v) 20
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) 2,1
Dreno contínuo máximo (a) atual 0,19
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) 2000
IDSS máximo (A) 1
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 4500@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 0.33@4.5V
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 15@10V
Dissipação de poder máxima (mW) 325
Tempo de queda típico (ns) 5
Tempo de elevação típico (ns) 7
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 11
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 6
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 150
Empacotamento Fita e carretel
Pacote do fornecedor SOT-23
Pin Count 3
Nome do pacote padrão ÉBRIO
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 1 (máximo)
Comprimento do pacote 3 (máximo)
Largura do pacote 1,4 (máximo)
O PWB mudou 3
Forma da ligação Gaivota-asa
Etiquetas de Produtos:

mos field effect transistor

3 phase bldc

surface mount diode identification
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