Montagem da superfície da memória 256Mbit de SDRAM do chip de memória da GOLE HY5DU561622FTP-5, 200MHz, 2,4 → 2,7 V
| Atributo |
Valor |
| Tamanho de memória |
256Mbit |
| Organização |
bocado 16M x 16 |
| Taxa de dados |
200MHz |
| Largura do ônibus de dados |
16bit |
| Número de bocados pela palavra |
16bit |
| Número de palavras |
16M |
| Montando o tipo |
Montagem de superfície |
| Tipo do pacote |
TSOP |
| Pin Count |
66 |
| Dimensões |
22,33 x 10,26 x 1.044mm |
| Altura |
1.044mm |
| Comprimento |
22.33mm |
| Tensão de fonte mínima do funcionamento |
2,4 V |
| Temperatura de funcionamento mínima |
0 °C |
| Temperatura de funcionamento máximo |
°C +70 |
| Tensão de fonte máxima do funcionamento |
2,7 V |
| Largura |
10.26mm |
DESCRIÇÃO
O Hynix HY5DU561622FTP-5, -4 séries é uma GOLE síncrono da taxa de 268.435.456 dados do dobro do CMOS do bocado (RDA),
serido idealmente para as aplicações pontos a ponto que exige a largura de banda alta.
As operações inteiramente síncronos da oferta de Hynix 16Mx16 RDA SDRAMs providas às bordas de aumentação e de queda do
pulso de disparo. Quando todos os endereços e entradas de controle estiverem travados nas bordas de aumentação das CK (bordas de queda de /CK), dados,
Os estroboscópios dos dados e para escrever entradas das máscaras dos dados são provados em bordas de aumentação e de queda dele. Os trajetos de dados estão internamente
canalizado e bocado 2 prefetched para conseguir a largura de banda muito alta. Todos os níveis de tensão da entrada e da saída são compatíveis
com SSTL_2.
CARACTERÍSTICAS
• VDD, VDDQ = 2.5V +/- 0.2V para 200MHz
VDD, VDDQ = 2.6V + 0,1/-0.2V para 250MHz
• Todas as entradas e saídas são compatíveis com SSTL_2
relação
• JEDEC 400mil padrão 66pin TSOP-II com 0.65mm
passo do pino
• Operação das entradas de pulso de disparo inteiramente diferencial (CK, /CK)
• Relação dobro da taxa de dados
• Fonte síncrono - transação dos dados alinhada a
estroboscópio bidirecional dos dados (DQS)
• o dispositivo x16 tem 2 estroboscópios bytewide dos dados (LDQS,
UDQS) por cada I/O x8
• Saídas de dados em bordas de DQS quando lidas (afiou DQ)
Entradas de dados em centros de DQS quando escreva (centrado
DQ)
• Os dados (DQ) e para escrever as máscaras (DM) travaram no ambos
bordas de aumentação e de queda do estroboscópio dos dados
• Todos os endereços e entradas de controle exceto dados, dados
estroboscópios e máscaras dos dados travadas nas bordas de aumentação
do pulso de disparo
• Escreva controles do byte da máscara por LDM e por UDM
• A latência programável 3 de /CAS/4 apoiou
• Comprimento estourado programável 2/4/8 com ambos
modo sequencial e da intercalação
• 4 operações internas do banco com único /RAS pulsado
• a função do fechamento do tRAS apoiou
• O automóvel refresca e o auto refresca apoiado
• 8192 refrescam os ciclos/64ms
• Força (fraca) completa, meia e combinada da impedância
opção do motorista controlada por EMRS
