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Microplaqueta de memória Flash de W9725G6JB25I-ND, PARALELA instantânea 84WBGA da GOLE 256mb Nand de IC

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Microplaqueta de memória Flash de W9725G6JB25I-ND, PARALELA instantânea 84WBGA da GOLE 256mb Nand de IC

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Número de modelo :W9725G6JB25I-ND
Quantidade de ordem mínima :1 pacote
Termos do pagamento :T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro
Capacidade da fonte :6000pcs por mês
Tempo de entrega :3-5 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :10cm x 10cm x 5cm
Artigo Numbe :W9725G6JB25I-ND
Categoria de produtos :Memória & memória Flash
Capacidade de armazenamento :256Mb (16M x 16)
freqüência :200MHz
Volt :1,7 V ~ 1,9 V
Tecnologia :SDRAM - DDR2
Temp. :-40°C ~ 95°C (TC)
Pacote :BGA96
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Microplaqueta de memória Flash W9725G6JB25I-ND, GOLE 256M 84WBGA PARALELO de IC

 

 

Características básicas
Tipo DDR2 SDRAM
Organização x16
Velocidade 400 megahertz
Tensão 1,8 V
Pacote WBGA-84

 

Descrição:

 

O W9725G6JB é os bocados DDR2 SDRAM de 256M, organizado como 4.194.304 bancos das palavras x 4 x 16 bocados. Este dispositivo consegue taxas de transferência de alta velocidade até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para várias aplicações. W9725G6JB é classificado nas seguintes categorias da velocidade: -18, -25, 25I, 25A, 25K e -3. As -18 peças da categoria são complacentes (7-7-7) à especificação DDR2-1066. As peças da categoria de -25/25I/25A/25K são complacentes (6-6-6) à especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (as peças industriais da categoria 25I que é garantida para apoiar o ≤ do ≤ TCASE de -40°C 95°C). As -3 peças da categoria são complacentes (5-5-5) à especificação DDR2-667.

 

A temperatura automotivo das peças da categoria, se oferecido, tem duas exigências simultâneas: a temperatura ambiental (Ta) que cerca o dispositivo não pode ser menos do que -40°C ou maior do que +95°C (para 25A), +105°C (para 25K), e a temperatura de caso (TCASE) não podem ser menos do que -40°C ou maior do que +95°C (para 25A), +105°C (para 25K). As especificações de JEDEC exigem refrescam a taxa para dobrar quando TCASE excede +85°C; isto igualmente exige o uso do auto de alta temperatura refrescar a opção. Adicionalmente, a resistência de ODT e a impedância do entrada/saída devem ser derated quando TCASE é < 0°C ou > +85°C.

 

Todas as entradas do controle e do endereço são sincronizadas com um par de pulsos de disparo diferenciais externamente fornecidos. As entradas são travadas no ponto transversal dos pulsos de disparo diferenciais (CLK que aumentam e NÃO CLK que cai). Todos os I/Os são sincronizados com um único DQS terminado ou um par diferencial de DQS- NÃO DQS em uma forma síncrono da fonte.

 

Características:

  • Fonte de alimentação: VDD, VDDQ = ± 0.1V de 1,8 V
  • Os dados dobro avaliam a arquitetura: duas transferências de dados pelo ciclo de pulso de disparo
  • CAS Latency: 3, 4, 5, 6 e 7
  • Comprimento da explosão: 4 e 8
  • Os estroboscópios bidirecionais, diferenciais dos dados (DQS e NÃO DQS) são transmitidos/recebidos com dados
  • Borda-alinhado com os dados lidos e centro-alinhou com redigem dados
  • O DLL alinha transições de DQ e de DQS com o pulso de disparo
  • Entradas de pulso de disparo diferencial (CLK e NÃO CLK)
  • As máscaras dos dados (DM) para redigem dados
  • Os comandos entraram em cada borda positiva de CLK, dados e a máscara dos dados é provida a ambas as bordas de DQS
  • NÃO latência aditiva programável afixada de CAS apoiada para fazer a eficiência do ônibus do comando e de dados
  • Latência lida = latência aditiva mais CAS Latency (RL = AL + CL)
  • Ajuste da impedância do Fora-Microplaqueta-motorista (OCD) e Em-Dado-terminação (ODT) para a melhor qualidade de sinal
  • a operação da Auto-pré-carga para leu e escreveu explosões
  • O automóvel refresca e o auto refresca modos
  • Poder pré-carregado para baixo e Ative Power para baixo
  • Escreva a máscara dos dados
  • Escreva a latência = a latência lida - 1 (WL = RL - 1)
  • Relação: SSTL_18
  • Empacotado na bola de WBGA 84 (² de 8X12.5 milímetro), usando materiais sem chumbo com o RoHS complacente

 

 

 

 

 

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