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Microplaqueta de memória Flash do de alta capacidade TC58BYG1S3HBAI6, movimentação 67VFBGA do flash de 2gb Nand

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Microplaqueta de memória Flash do de alta capacidade TC58BYG1S3HBAI6, movimentação 67VFBGA do flash de 2gb Nand

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Número de modelo :TC58BYG1S3HBAI6
Quantidade de ordem mínima :1 parte
Termos do pagamento :T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro
Capacidade da fonte :500-2000pcs pelo mês
Tempo de entrega :3-5 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :10cm x 10cm x 5cm
Artigo Numbe :TC58BYG1S3HBAI6
Denisty :2Gb (256M x 8)
Categoria de produtos :Memória & memória Flash
Relação da memória :Paralela
Volt. :1,7 V ~ 1,95 V
Tecnologia :FLASH - NAND (TLC)
Temp. :-40°C ~ 85°C (TA)
Pacote :67-VFBGA
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A microplaqueta de memória Flash TC58BYG1S3HBAI6 IC PISCA 2G a PARALELA 67VFBGA

Microplaqueta de memória Flash do de alta capacidade TC58BYG1S3HBAI6, movimentação 67VFBGA do flash de 2gb Nand

 

TC58BYG1S3HBAI6 é um único 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 bocados) NAND Electrically Erasable e memória de leitura apenas programável (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) o × 2048blocks das páginas do × 64 dos bytes. O dispositivo tem um registro estático de 2112 bytes que permita o programa e os dados lidos a ser transferidos entre o registro e os incrementos dos bytes da disposição de pilha da memória em 2112. Apague a operação é executado em uma única unidade do bloco (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 páginas do × 64 dos bytes).

 

O TC58BYG1S3HBAI6 é um de série-tipo dispositivo de memória que utilize os pinos do I/O para o endereço e o entrada/saída dos dados assim como para entradas de comando. Apague e as operações do programa são executadas automaticamente que fazem o dispositivo o mais apropriado para as aplicações tais como o armazenamento de arquivo de circuito integrado, a gravação da voz, a memória do arquivo de imagem para câmeras imóveis e os outros sistemas que exigem o armazenamento de dados da memória permanente do alto densidade.

 

O TC58BYG1S3HBAI6 tem a lógica da CCE na microplaqueta e 8bit leu erros para cada 528Bytes pode ser corrigido internamente

Atributos técnicos

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Característica:

Microplaqueta de memória Flash do de alta capacidade TC58BYG1S3HBAI6, movimentação 67VFBGA do flash de 2gb Nand

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