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A microplaqueta de memória Flash TC58BYG1S3HBAI6 IC PISCA 2G a PARALELA 67VFBGA
TC58BYG1S3HBAI6 é um único 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 bocados) NAND Electrically Erasable e memória de leitura apenas programável (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) o × 2048blocks das páginas do × 64 dos bytes. O dispositivo tem um registro estático de 2112 bytes que permita o programa e os dados lidos a ser transferidos entre o registro e os incrementos dos bytes da disposição de pilha da memória em 2112. Apague a operação é executado em uma única unidade do bloco (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 páginas do × 64 dos bytes).
O TC58BYG1S3HBAI6 é um de série-tipo dispositivo de memória que utilize os pinos do I/O para o endereço e o entrada/saída dos dados assim como para entradas de comando. Apague e as operações do programa são executadas automaticamente que fazem o dispositivo o mais apropriado para as aplicações tais como o armazenamento de arquivo de circuito integrado, a gravação da voz, a memória do arquivo de imagem para câmeras imóveis e os outros sistemas que exigem o armazenamento de dados da memória permanente do alto densidade.
O TC58BYG1S3HBAI6 tem a lógica da CCE na microplaqueta e 8bit leu erros para cada 528Bytes pode ser corrigido internamente
| Descrição | Valor |
---|---|---|
| Arquitetura | Sectored |
| Organização do bloco | Simétrico |
| Tipo da pilha | SLC NAND |
| Densidade | 2 Gb |
| Apoio da CCE | Sim |
| Tipo de relação | Série |
| Tensão de fonte máxima do funcionamento | 1,95 V |
| Tensão de fonte mínima do funcionamento | 1,7 V |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Número de bocados pela palavra | Bocado 8 |
| Número de palavras | 256 MWords |
| Temperatura de funcionamento | °C -40 a 85 |
| Tamanho de página | 2 KB |
| Pin Count | 67 |
| Dimensões do produto | 8 x 6,5 x 0,74 (máximo) |
| Tensão de programação | 1,7 a 1,95 V |
| Selecionando o nível | Industrial |
| Tamanho de setor | 128 x 2048 KB |
| Pacote do fornecedor | VFBGA |
| Tipo cronometrando | Síncrono |
| Tensão de fonte típica do funcionamento | 1,8000 V |
Característica: