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Paralela 4Mb 10ns TSOP44 assíncrona dos circuitos integrados eletrônicos de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI

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Paralela 4Mb 10ns TSOP44 assíncrona dos circuitos integrados eletrônicos de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI

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Número de modelo :IS61WV25616BLL-10TLI
Quantidade de ordem mínima :1 parte
Termos do pagamento :T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro
Capacidade da fonte :500-2000pcs pelo mês
Detalhes de empacotamento :10cm x 10cm x 5cm
Tempo de entrega :3-5 dias de trabalho
N. º produto :IS61WV25616BLL-10TLI
Tipo da memória :Temporário
formato da memória :SRAM
Tamanho da memória :Tamanho da memória
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Microplaqueta de IC da memória de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI da MICROPLAQUETA de IC - memória assíncrona IC 4Mb 10ns paralelo TSOP44

 

 

CARACTERÍSTICAS:

 

ALTA VELOCIDADE: (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns

• Baixo Ative Power: 85 mW (típicos)

• Baixo poder à espera: apoio de 7 mW CMOS (típico)

BAIXA POTÊNCIA: (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Tempo de acesso de alta velocidade: 25, 35, 45 ns

• Baixo Ative Power: 35 mW (típicos)

• Baixo poder à espera: 0,6 apoios do mW CMOS (típico)

• Única fonte de alimentação

— VDD 1.65V a 2.2V (IS61WV25616Axx)

— VDD 2.4V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Operação inteiramente estática: nenhum pulso de disparo ou refresca exigido

• Três saídas do estado

• Controle de dados para bytes superiores e mais baixos

• Apoio industrial e automotivo da temperatura

• Disponível sem chumbo

DIAGRAMA DE BLOCO FUNCIONAL:

DESCRIÇÃO

O ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx

são de alta velocidade, 4.194.304 ram estáticas do bocado organizadas como 262.144 palavras por 16 bocados. É tecnologia de capacidade elevada do CMOS dos usingISSI fabricados. Este pro cess altamente confiáveis acoplados com técnicas de projeto inovativas do circuito,

rendimentos de capacidade elevada e baixa potência consumo de vício.

 

Quando o CE for ALTAMENTE (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que a dissipação de poder pode ser reduzida para baixo com níveis de entrada do CMOS.

 

A expansão de memória fácil é fornecida usando Chip Enable e a saída permite entradas, CE e OE. O PONTO BAIXO ativo escreve permite (NÓS) controla a escrita e a leitura da memória. Um byte de dados permite o byte superior (UB) e um mais baixo acesso do byte (libra).

 

Os IS61WV25616Axx/Bxx e os IS64WV25616Bxx são empacotados no tipo II e 48 o pino mini BGA do pino TSOP do padrão 44 de JEDEC (6mm x 8mm).

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)

VDD = 3.3V + 5%

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Máximo. Unidade
VOH Alta tensão da saída VDD = mínimo, IOH = – 4,0 miliampères 2,4 V
VOL BAIXA tensão da saída VDD = mínimo, IOL = 8,0 miliampères 0,4 V
VIH Alta tensão entrada   2 VDD + 0,3 V
VIL BAIXA tensão entrada (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Escapamento entrado £ VDD DO £ VIN DA TERRA – 1 1 µA
ILO Escapamento da saída O £ VDD do £ VOUT da terra, saídas desabilitou – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10 ns). Não 100% testado.

VIH (máximo) = C.C. VDD + 0.3V; VIH (máximo) = C.A. VDD + 2.0V (largura de pulso < 10 ns). Não 100% testado.

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)

VDD = 2.4V-3.6V

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Máximo. Unidade
VOH Alta tensão da saída VDD = mínimo, IOH = – 1,0 miliampères 1,8 V
VOL BAIXA tensão da saída VDD = mínimo, IOL = 1,0 miliampères 0,4 V
VIH Alta tensão entrada   2,0 VDD + 0,3 V
VIL BAIXA tensão entrada (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Escapamento entrado £ VDD DO £ VIN DA TERRA – 1 1 µA
ILO Escapamento da saída O £ VDD do £ VOUT da terra, saídas desabilitou – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10 ns). Não 100% testado.

VIH (máximo) = C.C. VDD + 0.3V; VIH (máximo) = C.A. VDD + 2.0V (largura de pulso < 10 ns). Não 100% testado.

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)

VDD = 1.65V-2.2V

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste VDD Mínimo. Máximo. Unidade
VOH Alta tensão da saída IOH = -0,1 miliampères 1.65-2.2V 1,4 V
VOL BAIXA tensão da saída IOL = 0,1 miliampères 1.65-2.2V 0,2 V
VIH Alta tensão entrada   1.65-2.2V 1,4 VDD + 0,2 V
VIL (1) BAIXA tensão entrada   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
ILI Escapamento entrado £ VDD DO £ VIN DA TERRA – 1 1 µA
ILO Escapamento da saída O £ VDD do £ VOUT da terra, saídas desabilitou – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10 ns). Não 100% testado.

VIH (máximo) = C.C. VDD + 0.3V; VIH (máximo) = C.A. VDD + 2.0V (largura de pulso < 10 ns). Não 100% testado.

CONDIÇÕES DE TESTE DA C.A.

 

Parâmetro Unidade Unidade Unidade
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Elevação e tempos de queda entrados 1V/ ns 1V/ ns 1V/ ns
AndReferenceLevel de InputandOutputTiming (VRef) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Veja figuras 1 e 2 Veja figuras 1 e 2 Veja figuras 1 e 2
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