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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

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País / Região:china

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China Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm wholesale

Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm

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NÚMERO DE MODELO :CR210628-01

Lugar de origem :China

Quantidade de ordem mínima :1PC

Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Capacidade da fonte :5000pcs pelo mês

Prazo de entrega :1-2 semanas

Detalhes de empacotamento :Caixa limpa transparente

artigo :Ce a rendimento elevado GAGG único Crystal Substrates de 10x10x0.5mm

Tamanho :10x10x0.5mm

método do crescimento :Czocharalski

Formular químico :Gd3Al2Ga3O12

Densidade :6.63g/cm3

Aplicação :ANIMAL DE ESTIMAÇÃO, SPECT, CT.

Polonês :10/5

Diâmetro máximo :60MM

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