Gezhi Photonics (Shenzhen) Technology Co., Ltd.

Tecnologia Co. de Gezhi Photonics (Shenzhen), Ltd.

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Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

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Gezhi Photonics (Shenzhen) Technology Co., Ltd.
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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsEna Lin
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Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

Pergunte o preço mais recente
Número do modelo :Mems-1x2
Local de origem :China
Quantidade mínima de encomenda :1 peça
Condições de pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de abastecimento :1000 peças por dia
Tempo de entrega :7 dias
Detalhes da embalagem :Caixa interna, cartão
Aplicação :Redes de acesso óptico 5G
Conector de fibra :LC/UPC, LC/APC, SC/UPC etc.
Tempo do interruptor :30ms
Voltagem :60 V
Porto :1x2 ou 1xN
comprimento de onda :C-faixa ou personalizado
Tempo de garantia :3 anos
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Descrição do produto

 

                                    Baixa perda de inserção Sem epoxi no dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2

A GEZHI Photonics oferece switches ópticos MEMS que suportam comprimento de onda de banda larga e são compactos, comutação rápida, alta estabilidade e com alta configuração de número de canal.,OLM, OTDR ou detecção de fibras, etc.

 

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho ópticoDispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

 

Características

Baixa perda de inserção
Tempo de mudança rápido
Tamanho compacto
Vários canais
Número elevado de ciclos de mudança ao longo da vida
 

Aplicações

Especificações

  • Rede óptica

  • Sistema de ensaio de rede

  • Proteção/Restauração

  • Proteção do transmissor e do receptor

Parâmetro
Unidade
1xN MEMS Switch óptico
Faixa de comprimento de onda
nm
Banda C
Banda L
Comprimento de onda operacional
nm
1530~1570
1570~1610
Perda de inserção
dB
< 1.0
< 1.0
Perda de retorno
dB
≥ 50
Transmissão
dB
≥ 55
Perda dependente da polarização
dB
≤ 0.1
WDL
dB
≤ 0.2
TDL
dB
≤ 0.2
Repetitividade
dB
≤ ± 0.1
Fornecimento de energia
V
≤ 60
Período de vida
vezes
≥ 109
Tempo de comutação
ms
≤ 30
Potência óptica
mW
≤ 500
Temperatura de funcionamento
°C
-5~+70
Temperatura de armazenamento
°C
-40~+85
Dimensão
mm
φ5,5x42
Nota: 1. Dentro da temperatura de funcionamento e de todas as normas operacionais.
2. Acima especificação. não é conector inlude, se adicionar conector, o IL irá aumentar 0,3 dB.

 

Parâmetro técnico

1. Modo único

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho ópticoModo multi

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

  •  

Rota óptica

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

Dimensão

 

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

 

Informações de encomenda

Dispositivo de comutação óptica MEMS 1x2 sem epoxi no caminho óptico

 

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