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3 baixa potência do inversor IGBT da fase módulos/FP75R12KT4B11BOSA1 ECONO

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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3 baixa potência do inversor IGBT da fase módulos/FP75R12KT4B11BOSA1 ECONO

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Number modelo :FP75R12KT4B11BOSA1
Lugar de origem :Alemanha
Quantidade de ordem mínima :1pcs
Termos do pagamento :L/C, T/T
Capacidade da fonte :500 PCS+48hours
Prazo de entrega :48hours
Detalhes de empacotamento :Bandeja
Infineon :FP75R12KT4B11BOSA1
Configuração :Inversor da 3-fase
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor :1,2 quilovolts
Tensão de saturação do Coletor-emissor :1,85 V
Corrente de coletor contínua em 25C :75 A
corrente do escapamento do Porta-emissor :nA 100
dissipação do Paládio-poder :385 W
Temperatura de trabalho mínima :-40℃
Temperatura de trabalho máxima :+150℃
Empacotamento :10 PCes
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FP75R12KT4B11BOSA1   SP000355575    Infineon    BAIXA POTÊNCIA ECONO do módulo de IGBT

FP75R12KT4_B11

 

 

 

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: Inversor da 3-fase
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,2 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,85 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 75 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: 385 W
Pacote/armário: Econo 3
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Altura: 17mm
Comprimento: 122mm
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Montando o estilo: Montagem do chassi
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Série: Trenchstop IGBT4 - T4
Quantidade de embalagem: 10 PCS
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si

 

 

3 baixa potência do inversor IGBT da fase módulos/FP75R12KT4B11BOSA1 ECONO3 baixa potência do inversor IGBT da fase módulos/FP75R12KT4B11BOSA1 ECONO

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