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Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

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Únicos IGBT módulos 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 da configuração

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Number modelo :FD150R12RT4HOSA1

Lugar de origem :Alemanha

Quantidade de ordem mínima :1pcs

Termos do pagamento :L/C, T/T

Capacidade da fonte :500 PCS+48hours

Prazo de entrega :48hours

Detalhes de empacotamento :Bandeja

Infineon :FD150R12RT4HOSA1

Configuração :Único

tensão máxima VCEO do Coletor-emissor :1,2 quilovolts

Tensão de saturação do Coletor-emissor :2,15 V

Corrente de coletor contínua em 25C :150 A

corrente do escapamento do Porta-emissor :nA 100

dissipação do Paládio-poder :790 W

Temperatura de trabalho mínima :-40℃

Temperatura de trabalho máxima :+150℃

Empacotamento :10 PCes

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FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 Infineon Módulo IGBT 1200V 150A de IGBT

FD150R12RT4

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: Único
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,2 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 2,15 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 150 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: 790 W
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Estilo da instalação: SMD/SMT
Série: Trincheira/Fieldstop IGBT4
Quantidade de embalagem: 10 PCS
Subcategoria: IGBTs

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