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Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

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3 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT

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Number modelo :F3L75R12W1H3_B27

Lugar de origem :Alemanha

Quantidade de ordem mínima :1pcs

Termos do pagamento :L/C, T/T

Capacidade da fonte :500 PCS+48hours

Prazo de entrega :48hours

Detalhes de empacotamento :Bandeja

Infineon :F3L75R12W1H3_B27

Configuração :Inversor da 3-fase

tensão máxima VCEO do Coletor-emissor :1,2 quilovolts

Tensão de saturação do Coletor-emissor :1,45 V

Corrente de coletor contínua em 25C :45 A

corrente do escapamento do Porta-emissor :nA 100

dissipação do Paládio-poder :275 W

Temperatura de trabalho mínima :-40℃

Temperatura de trabalho máxima :+150℃

Empacotamento :24 PCes

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F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 Infineon BAIXA POTÊNCIA do módulo de IGBT FÁCIL

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: Inversor da 3-fase
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,2 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,45 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 45 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: 275 W
Pacote/caixa: EasyPack1B
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Série: IGBT de alta velocidade H3
Quantidade de embalagem: 24 PCS
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si

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