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1,2 bloco FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618 dos módulos 6 da baixa potência IGBT do quilovolt

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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1,2 bloco FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618 dos módulos 6 da baixa potência IGBT do quilovolt

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Number modelo :FS100R12W2T7BOMA1
Lugar de origem :Alemanha
Quantidade de ordem mínima :1pcs
Termos do pagamento :L/C, T/T
Capacidade da fonte :500 PCS+48hours
Prazo de entrega :48hours
Detalhes de empacotamento :Bandeja
Infineon :FS100R12W2T7BOMA1
Configuração :6-Pack
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor :1,2 quilovolts
Tensão de saturação do Coletor-emissor :1,5 V
Corrente de coletor contínua em 25C :70 A
corrente do escapamento do Porta-emissor :nA 100
dissipação do Paládio-poder :-
Temperatura de trabalho mínima :-40℃
Temperatura de trabalho máxima :+175℃
Empacotamento :15 unidades
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FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618   Infineon    BAIXA POTÊNCIA do módulo de IGBT FÁCIL

 

FS100R12W2T7

 

 

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: 6-Pack
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,2 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,5 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 70 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: -
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
Pacote: Bandeja
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Montando o estilo: Montagem do chassi
Série: Trenchstop IGBT7
Quantidade de embalagem: 15 PCS
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si

 

 

1,2 bloco FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618 dos módulos 6 da baixa potência IGBT do quilovolt1,2 bloco FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618 dos módulos 6 da baixa potência IGBT do quilovolt

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