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NEM memória Flash S29GL01GT11FHIV10 assíncrono FBGA-64 da paralela

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDarren Ma
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NEM memória Flash S29GL01GT11FHIV10 assíncrono FBGA-64 da paralela

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Number modelo :S29GL01GT11FHIV10
Lugar de origem :Alemanha
Quantidade de ordem mínima :1pcs
Termos do pagamento :L/C, T/T
Capacidade da fonte :9000 PCS+48hours
Prazo de entrega :48hours
Detalhes de empacotamento :Bandeja
Infineon :S29GL01GT11FHIV10
Capsulagem :FBGA-64
Armazenamento :1 Gbit
Mínimo da tensão de fonte :2,7 V
Tensão de fonte de alimentação máxima :3,6 V
Temperatura de trabalho mínima :-40℃
Temperatura de trabalho :+85℃
Quantidade de embalagem :900 PCes
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S29GL01GT11FHIV10       Infineon       NEM instantâneo NEM FBGA-64

 

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: NEM instantâneo
Estilo da instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: FBGA-64
Série: S29GL01GT
Capacidade de armazenamento: 1 Gbit
Tensão de fonte - minuto: 2,7 V
Tensão de fonte - máxima: 3,6 V
Atual lido ativo (máximo): 60 miliampères
Tipo de relação: Paralelo
Organização: 128M x 8/64M x 16
Largura do ônibus de dados: bocado 8 bit/16
Tipo cronometrando: Assíncrono
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 85 C
Pacote: Bandeja
Tipo do armazenamento: NEM
Sensibilidade da umidade: Sim
Velocidade: 110 ns
Quantidade de embalagem: 900 PCS
Subcategoria: Armazenamento de dados da memória &
Peso de unidade: 3,698 g

 

 

S29GL01GT11FHV010

S29GL01GT11FHIV20

S29GL01GT11FHB020
S29GL01GT11FHV020

S29GL01GT11FHIV13

S29GL01GT11FHIV23
S29GL01GT11FHB023

S29GL01GT11FHIV40
S29GL01GT11FHIV43

 

 

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