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Ltd. internacional oriental de Stor

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Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MrDarren Ma

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NEM pacote de IC 1G 110ns S29GL01GS11DHIV20 FBGA-64 da memória Flash

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Number modelo :S29GL01GS11DHIV20

Lugar de origem :Alemanha

Quantidade de ordem mínima :1pcs

Termos do pagamento :L/C, T/T

Capacidade da fonte :5200 PCS+48hours

Prazo de entrega :48hours

Detalhes de empacotamento :Bandeja

Infineon :S29GL01GS11DHIV20

Capsulagem :FBGA-64

Armazenamento :1 Gbit

Mínimo da tensão de fonte :2.7V

Tensão de fonte de alimentação máxima :3.6V

Temperatura de trabalho mínima :-40℃

Temperatura de trabalho :+80℃

Quantidade de embalagem :520 PCS

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S29GL01GS11DHIV20 Infineon paralela de 1G 3V 110ns NEM FBGA-64 instantâneo

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: NEM instantâneo
Estilo da instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: FBGA-64
Série: S29GL01G/512/256/128S
Capacidade de armazenamento: 1 Gbit
Tensão de fonte - minuto: 2,7 V
Tensão de fonte - máxima: 3,6 V
Atual lido ativo (máximo): 60 miliampères
Tipo de relação: Paralelo
Organização: 64M x 16
Largura do ônibus de dados: bocado 16
Tipo cronometrando: Assíncrono
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 85 C
Pacote: Bandeja
Estrutura: Eclipse
Tipo do armazenamento: NEM
Sensibilidade da umidade: Sim
Velocidade: 110 ns
Quantidade de embalagem: 520 PCS
Subcategoria: Armazenamento de dados da memória &
Marca: MirrorBit
Peso de unidade: 3 g

S29GL01GS11DHI020

S29GL01GS11DHV020

S29GL01GS11DHB020

S29GL01GS11DHSS20

S29GL01GS11DHAV20

S29GL01GS11DHA020

S29GL01GS11DHB010

S29GL01GS11DHIV10
S29GL01GS11DHV010
S29GL01GS11DHI010

S29GL01GS11DHSS10

S29GL01GS11DHIV13

S29GL01GS11DHB013

S29GL01GS11DHV013

S29GL01GS11DHA023
S29GL01GS11DHV023

S29GL01GS11DHB023

S29GL01GS11DHIV23
S29GL01GS11DHAV23

S29GL01GS11DHSS60
S29GL01GS11DHSS63

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