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Memória Flash WSON-8 S25FS512SAGNFB010 de 512 Mbit IC SPI 133 megahertz

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Number modelo :S25FS512SAGNFB010

Lugar de origem :Alemanha

Quantidade de ordem mínima :1pcs

Termos do pagamento :L/C, T/T

Capacidade da fonte :3380 PCS+48hours

Prazo de entrega :48hours

Detalhes de empacotamento :Bandeja

Infineon :S25FS512SAGNFB010

Capsulagem :WSON-8

Armazenamento :512 Mbit

Mínimo da tensão de fonte :1.7V

Tensão de fonte de alimentação máxima :2V

Temperatura de trabalho mínima :-40℃

Temperatura de trabalho :+105℃

Quantidade de embalagem :676 PCS

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S25FS512SAGNFB010 Infineon NEM instantâneo nem AEC-Q100 WSON-8

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: NEM instantâneo
Estilo da instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: WSON-8
Série: S25FS512S
Capacidade de armazenamento: 512 Mbit
Tensão de fonte - minuto: 1,7 V
Tensão de fonte - máxima: 2 V
Atual lido ativo (máximo): 100 miliampères
Tipo de relação: SPI
Frequência de pulso de disparo máxima: 133 megahertz
Organização: 64M x 8
Largura do ônibus de dados: bocado 8
Tipo cronometrando: Síncrono
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 105 C
Qualificação: AEC-Q100
Pacote: Bandeja
Estrutura: MirrorBit
Tipo do armazenamento: NEM
Sensibilidade da umidade: Sim
Velocidade: 133MHz
Padrão: Relação instantânea comum (CFI)
Quantidade de embalagem: 676 PCS
Subcategoria: Armazenamento de dados da memória &

S25FS512SAGNFI010

S25FS512SAGNFV010

S25FS512SAGNFM010

S25FS512SAGNFA010

S25FS512SAGNFV011

S25FS512SAGNFI011

S25FS512SAGNFA013
S25FS512SAGNFV013
S25FS512SAGNFI013

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