Categorias de Produtos

Conector automotivo impermeável

[15]

Ethernet CI

[15]

Contate

Ltd. internacional oriental de Stor

Visite o site

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MrDarren Ma

Ver detalhes de contato

Contate

DMN26D0UFB4-7 Diodos Mosfet Enhance Mode Mosfet 20V N-Chan X2-DFN1006

Pergunte o preço mais recente

Número do modelo :DMN26D0UFB4-7

Local de origem :UAS

Quantidade mínima de encomenda :1pcs

Condições de pagamento :T/T, L/C

Capacidade de abastecimento :300000 PCS + 48 horas

Tempo de entrega :24-72hours

Detalhes da embalagem :Carretel

DIODOS :DMN26D0UFB4-7

Pacote :X2-DFN1006

Número de canais :1 canal

Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte :20 V

Id. Corrente de escoamento contínua :240 miliampères

dissipação do Paládio-poder :350 mW

Temperatura de trabalho mínima :-55℃

Temperatura de funcionamento :+150℃

Quantidade de embalagem :3000 PCes

Contate

Add to Cart

Ver descrição do produto

DMN26D0UFB4-7 Diodos MOSFET MODO ENHANCE MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006

DMN26D0UFB4-7B

Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Embalagem/caixa: X2-DFN1006-3
Polaridade do transistor: canal N
Número de canais: 1
Voltagem de ruptura da fonte de descarga VDS: 20 V
Id. Corrente de escoamento contínua: 240 mA
Rds Resistência da fonte de descarga: 3 Ohms
Vgs - tensão da fonte da porta: - 12 V, + 12 V
Vgs tensão de limiar da fonte da porta: 600 mV
Carga Qg-gate: -
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Dissipação de potência Pd: 350 mW
Modo de canal: Reforço
Série: DMN26
Embalagem: bobina
Configuração: Único
Tempo de queda: 15,2 ns
Transcondutividade para a frente - mínimo: 180 mS
Tempo de elevação: 7,9 ns
Quantidade de embalagem: 3000 PCS
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 13,4 ns
Tempo típico de atraso: 3,8 ns
1 mg

Inquiry Cart 0