HENKOSINO TECHNOLOGY CO.,LTD
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| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
|---|---|
| Descrição detalhada: | FLASH - NEM paralela 110ns 56-TSOP de IC 512Mb da memória (64M x 8, 32M x 16) (14x20) |
| Tensão - fonte: | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Tamanho de memória: | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
| Relação da memória: | Paralelo |
| Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: | 110ns |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 3 (168 horas) |
| Número da peça baixa: | 28F512M29EW |
| Outros nomes: | 557-1621 904393 904393-ND JS28F512M29EWH 904393 JS28F512M29EWHA-ND |
| Formato da memória: | FLASH |
| Tecnologia: | FLASH - NEM |
| Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Destaques quentes das ofertas
| Modelo do produto | Tipo |
| GD32F103RCT6 | GD |
| FAN3111ESX | EM |
| ESDAXLC6-1BT2 | ST |
| BTA16-600BWRG | ST |
| STM32F756ZGT6 | ST |
| STM32F765IIK6 | ST |
| LIS2DE12TR | ST |
| CYPD5225-96BZXIT | CYPRESS |
| STM32WLE5CCU6 | ST |
| STM8L051F3P6TR | ST |
Problema comum