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Placa do circuito integrado do MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP do circuito integrado de SI3585CDV-T1-GE3 FPGA

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
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Placa do circuito integrado do MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP do circuito integrado de SI3585CDV-T1-GE3 FPGA

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Number modelo :SI3585CDV-T1-GE3
Termos do pagamento :D/A, T/T, Western Union
Prazo de entrega :1-2 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :Fita & carretel (TR)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :20V
Pacote/caso :SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6
Montando o tipo :Montagem de superfície
empacotamento :Fita & carretel (TR)
Pacote do dispositivo do fornecedor :6-TSOP
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :1.5V @ 250µA
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Estado sem chumbo/estado de RoHS: Sem chumbo/RoHS complacente
Descrição detalhada: Disposição N do Mosfet e P-canal 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W montagem de superfície 6-TSOP
Característica do FET: Porta do nível da lógica
Poder - máximo: 1.4W, 1.3W
Nível da sensibilidade de umidade (MSL): 1 (ilimitado)
Fabricante Standard Lead Time: 32 semanas
Tipo do FET: N e P-canal
Série: TrenchFET®
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Outros nomes: SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 150pF @ 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)

 

Destaques quentes das ofertas

 

Modelo do produto Tipo
TLV9152QDGKRQ1 SI
ISO7831DWR SI
TPS562207SDRLR SI
TPS7B4253QPWPRQ1 SI
TPS25940AQRVCRQ1 SI
ISO7331FCQDWRQ1 SI
TPS22992RXPR SI
TPS62913RPUR SI
MPX2200AP  
CCS811B-JOPD AMS

 

Problema comum

Nós somos cometidos a fornecer clientes os produtos e serviço de alta qualidade.
Q: Como inquirir/ordem SI3585CDV-T1-GE3?
: Clique por favor “obtêm o melhor preço” e clicam-no então “SUBMETEM-SE”. Citações do pedido.
Q: Inquérito/ordem SI3585CDV-T1-GE3, quanto tempo posso eu obter uma resposta?
: Após ter recebido a informação, nós contactá-lo-emos pelo e-mail o mais cedo possível.
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