HENKOSINO TECHNOLOGY CO.,LTD
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| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
|---|---|
| Descrição detalhada: | SRAM - Paralela assíncrona 10ns 36-SOJ de IC 4Mb da memória (512K x 8) |
| Tensão - fonte: | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Tamanho de memória: | 4Mb (512K x 8) |
| Relação da memória: | Paralelo |
| Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: | 10ns |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 3 (168 horas) |
| Formato da memória: | SRAM |
| Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |
| Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Destaques quentes das ofertas
| Modelo do produto | Tipo |
| ATSAMD20E17A-MUT | MICROCHIP |
| IRF7832TRPBF | INFINE0N |
| CY8C4025AXI-S412 | CYPRESS |
| ADC78H90CIMTX/NOPB | SI |
| DPS310XTSA1 | INFINE0N |
| TLC5941QPWPRQ1 | SI |
| TPD2S701QDSKRQ1 | SI |
| TPD8F003DQDR | SI |
| MC9S08AW32CFUE | |
| MSP430FR2311IPW20R | SI |
Problema comum