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Peças de derretimento altas de PointTungsten para o isolador do filamento do equipamento da implantação de íon
Descrição de produtos
A implantação de íon é um tipo do de alta tecnologia de superfície material da alteração que foi de florescência e amplamente utilizada internacionalmente nas três décadas passadas, realizando a otimização das propriedades de superfície dos materiais ou pode obter algumas propriedades excelentes novas. Devido às características originais e proeminentes deste de alta tecnologia, é uma tecnologia muito importante na fabricação moderna do circuito integrado. Usa a máquina da implantação de íon para realizar a lubrificação do semicondutor e para mudar a condutibilidade e a estrutura do transistor do semicondutor.
Traduzido com www.DeepL.com/Translator (versão livre)
Desde que a conversão da fonte de íon aos íons do plasma durante a injeção do íon gera uma temperatura de funcionamento sobre de 2000°C, a erupção do feixe de íon igualmente gera uma grande quantidade de energia cinética do íon, e os metais típicos rapidamente queimam-se e derretem-se. Consequentemente, os metais inertes da massa relativamente alta e da densidade são exigidos manter o sentido da durabilidade componente da ejeção e do aumento do feixe de íon. A estabilidade química de alta temperatura, a baixa degeneração térmica e a vida útil longa de materiais do tungstênio fizeram-lhes a escolha preferida para as peças e os materiais de consumo da fonte de íon para implanters do íon na indústria do semicondutor. O tambor de proteção do cátodo emitindo-se, do painel emitindo-se, da haste da fixação do centro, da placa de polo do filamento dentro do arco que começa a câmara, etc. Estes são sabidos coletivamente como as peças do tungstênio da implantação de íon.
Tamanho
Classificação | Especificação |
Parafusos | M3, M4, M5, M6, M8, M10, M16, etc. |
Porcas | M3, M4, M5, M6, M8, M10, M16, etc. |
Pinos | Processamento como necessário |
Rebites | Ф1.2, Ф1.5, Ф1.8, Ф2.0, Ф2.5, Ф3 |
Gaxetas | Processamento como necessário |