• prefixo 2V para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC−Q101 qualificou e PPAP capaz (2V7002L)

• Estes dispositivos são Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e são RoHS complacente

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão de Drain−Source	VDSS	60	VDC
Tensão de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)	VDGR	60	VDC
Drene atual O − contínuo (nota 1) o − TC = 25°C contínuo (nota 1) o − TC = 100°C pulsou (nota 2)	Identificação IDENTIFICAÇÃO IDM	± 800 do ± 75 do ± 115	mAdc
Tensão de Gate−Source − contínuo − Non−repetitive (Senhora do ≤ 50 do tp)	VGS VGSM	± 40 do ± 20	VDC Vpk

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Característica	Símbolo	Máximo	Unidade
Placa total da dissipação FR−5 do dispositivo (nota 3) Ta = 25°C Derate acima de 25°C Resistência térmica, Junction−to−Ambient	Paládio RqJA	225 1,8 556	mW mW/°C °C/W
Dissipação total do dispositivo (Nota 4) a carcaça da alumina, Ta = 25°C Derate acima de 25°C Resistência térmica, Junction−to−Ambient	Paládio RqJA	300 2,4 417	mW mW/°C °C/W
Temperatura da junção e de armazenamento	TJ, Tstg	− 55 +150	°C

Transistor do Mosfet do canal de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Transistor do Mosfet do canal de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

p-channel mosfet sot-23

n channel mosfet transistor

2sc5200 equivalent transistor