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MOSFET do MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD18534Q5A
Características 1
Baixa resistência térmica
Avalancha avaliada
Nível da lógica
Chapeamento terminal livre do Pb
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
Conversão de DC-DC
Retificador síncrono lateral secundário
Interruptor lateral preliminar isolado do conversor
Controlo do motor
Descrição 3
Este 7,8 mΩ, 60 V, MOSFET do poder do milímetro NexFETTM do × 6 do FILHO 5 são projetados minimizar perdas em aplicações da conversão de poder.
Sumário do produto
Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
||
VDS |
tensão da Dreno-à-fonte |
60 |
V |
|
Qg |
Total da carga da porta (10 V) |
17 |
nC |
|
Qgd |
Porta-à-dreno da carga da porta |
3,5 |
nC |
|
RDS (sobre) |
em-resistência da Dreno-à-fonte |
VGS = 4,5 V |
9,9 |
mΩ |
VGS =10V |
7,8 |
mΩ |
||
VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,9 |
V |
Informação pedindo
DISPOSITIVO |
QTY |
MEIOS |
PACOTE |
NAVIO |
CSD18534Q5A |
2500 |
carretel 13-Inch |
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros |
Fita e carretel |
CSD18534Q5AT |
250 |
carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
|
VDS |
tensão da Dreno-à-fonte |
60 |
V |
VGS |
tensão da Porta-à-fonte |
±20 |
V |
Identificação |
Corrente contínua do dreno (pacote limitado) |
50 |
|
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C |
69 |
||
Corrente contínua do dreno, Ta = 25°C (1) |
13 |
||
IDM |
Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) |
229 |
|
Paládio |
Dissipação de poder (1) |
3,1 |
W |
Dissipação de poder, TC = 25°C |
77 |
||
TJ, Tstg |
Junção de funcionamento, temperatura de armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
EAS |
Energia da avalancha, única identificação =40A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
80 |
mJ |