Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
3 Anos
Casa / Produtos / Flash Memory IC Chip /

MOSFET do MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet do nível da lógica de CSD18534Q5A

Contate
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
Contate

MOSFET do MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet do nível da lógica de CSD18534Q5A

Pergunte o preço mais recente
Number modelo :CSD18534Q5A
Quantidade de ordem mínima :Contacte-nos
Termos do pagamento :Paypal, Western Union, TT
Capacidade da fonte :50000 partes pelo dia
Prazo de entrega :Os bens serão enviados no prazo de 3 dias receberam uma vez o fundo
Detalhes de empacotamento :VSONP8
Descrição :MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Modo do canal :Realce
Configuração :Único
Temperatura de funcionamento mínima :- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo :+ 150 C
Empacotamento :Corte a fita
Tipo :Texas Instruments
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

MOSFET do MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD18534Q5A

Características 1

  • Ultra-baixos Qg e Qgd
  • Baixa resistência térmica

  • Avalancha avaliada

  • Nível da lógica

  • Chapeamento terminal livre do Pb

  • RoHS complacente

  • Halogênio livre

  • FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros

2 aplicações

  • Conversão de DC-DC

  • Retificador síncrono lateral secundário

  • Interruptor lateral preliminar isolado do conversor

  • Controlo do motor

Descrição 3

Este 7,8 mΩ, 60 V, MOSFET do poder do milímetro NexFETTM do × 6 do FILHO 5 são projetados minimizar perdas em aplicações da conversão de poder.

Sumário do produto

Ta = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDADE

VDS

tensão da Dreno-à-fonte

60

V

Qg

Total da carga da porta (10 V)

17

nC

Qgd

Porta-à-dreno da carga da porta

3,5

nC

RDS (sobre)

em-resistência da Dreno-à-fonte

VGS = 4,5 V

9,9

VGS =10V

7,8

VGS (th)

Tensão do ponto inicial

1,9

V

Informação pedindo

DISPOSITIVO

QTY

MEIOS

PACOTE

NAVIO

CSD18534Q5A

2500

carretel 13-Inch

FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros

Fita e carretel

CSD18534Q5AT

250

carretel 7-Inch

Avaliações máximas absolutas

Ta = 25°C

VALOR

UNIDADE

VDS

tensão da Dreno-à-fonte

60

V

VGS

tensão da Porta-à-fonte

±20

V

Identificação

Corrente contínua do dreno (pacote limitado)

50

Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C

69

Corrente contínua do dreno, Ta = 25°C (1)

13

IDM

Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2)

229

Paládio

Dissipação de poder (1)

3,1

W

Dissipação de poder, TC = 25°C

77

TJ, Tstg

Junção de funcionamento, temperatura de armazenamento

– 55 a 150

°C

EAS

Energia da avalancha, única identificação =40A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω

80

mJ

Inquiry Cart 0