O transistor de poder do Mosfet de LMZ10500SILR Não-isolou a modificação Nano dos conversores 650mA de DC/DC com o VINTAGE de 5.5V Max Inpt

O transistor de poder do Mosfet de LMZ10500SILR Não-isolou a modificação Nano dos conversores 650mA de DC/DC com o VINTAGE de 5.5V Max Inpt

Características 1

• Corrente de saída até 650 miliampères

• A tensão entrada varia 2,7 V a 5,5 V

• Tensão da saída para variar 0,6 V a 3,6 V

• Eficiência até 95%

• Indutor integrado

• pegada do microSiP 8-Pin

• – 40°C à variação da temperatura da junção 125°C

• Tensão ajustável da saída

• 2-MHz fixou a frequência de comutação de PWM

• Compensação integrada

• Função do Macio-início

• Proteção atual do limite

• Proteção térmica da parada programada

• Tensão entrada UVLO para a ligação inicial, o poder-Para baixo, e as condições da baixa de pressão

• Somente 5 componentes externos — Divisor do resistor e 3 capacitores cerâmicos

• Tamanho pequeno da solução

• Baixa ondinha da tensão da saída

• Seleção componente fácil e disposição simples do PWB

• A eficiência elevada reduz a geração de calor do sistema

2 aplicações

• Ponto de conversões da carga dos trilhos 3.3-V e 5-V

• O espaço forçou aplicações • Baixas aplicações do ruído da saída

Descrição 3

O módulo LMZ10500 nano é uma solução abaixadora fácil de usar de DC/DC capaz de conduzir a carga de até 650 miliampère em aplicações espaço-forçadas. Somente um capacitor da entrada, um capacitor da saída, um capacitor pequeno do filtro de VCON, e dois resistores são exigidos para a operação básica. O módulo nano vem em um pacote da pegada do μSiP de 8 pinos com um indutor integrado. O limite atual interno baseou a função do macio-início, proteção atual da sobrecarga, e a parada programada térmica é fornecida igualmente.

Informação do dispositivo