A quinta geração HEXFET s do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET® são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O D-Pak é projetado para a montagem de superfície usando a fase de vapor, o infravermelho, ou técnicas de solda da onda. A versão reta da ligação (série de IRFU) é para o através-furo que monta aplicações. Os níveis da dissipação de poder até 1,5 watts são possíveis em aplicações de superfície típicas da montagem.

Etiquetas de Produtos:

Transistor do Mosfet do canal de IRF9540NPBF P, transistor de interruptor rápido de 100V 23A

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Transistor do Mosfet do canal de IRF9540NPBF P, transistor de interruptor rápido de 100V 23A

Poder alto do MOSFET do transistor de interruptor do canal IRF9540NPBF TO-220 100V 23A de P

Descrição

irf520 mosfet

n channel mosfet transistor

mosfet irf3205