Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Atenuador de Digitas, 30 DB, gigahertz de 4-Bit DC-2.0 AT-220
Características Diagrama esquemático funcional
• Etapas da atenuação 2-dB a DB 30
• Precisão alta
• Baixo produto da intermodulação: +50 dBm IP3
• Baixo consumo da alimentação de DC: µW 50
• Pacote SOIC-16 plástico
• Empacotamento da fita e do carretel disponível
• Estabilidade de temperatura +/--0,15 DB: -40°C a +85°C
Descrição
M/A-COM AT-220 é 4 um bocado, atenuador digital do GaAs MMIC da etapa 2-dB em um pacote plástico da montagem da superfície da ligação do baixo custo SOIC 16. O AT-220 é serido idealmente para o uso onde a precisão alta, o interruptor rápido, o consumo mesmo da baixa potência e os baixos produtos da intermodulação são exigidos. As aplicações típicas incluem o equipamento de rádio e celular, LANs sem fio, equipamento de GPS e outros circuitos do ganho/controle nivelado.
O AT-220 é fabricado com um GaAs monolítico MMIC usando um processo maduro de 1 mícron. O processo caracteriza
passivation completo da microplaqueta para o desempenho e a confiança aumentados.
| Pin No. | Função | Pin No. | Função |
| 1 | VC1 | 9 | RF2 |
| 2 | VC1 | 10 | Terra |
| 3 | VC2 | 11 | Terra |
| 4 | VC2 | 12 | Terra |
| 5 | VC3 | 13 | Terra |
| 6 | VC3 | 14 | Terra |
| 7 | VC4 | 15 | Terra |
| 8 | VC4 | 16 | RF1 |
| Parâmetro | Máximo absoluto |
|
Poder entrado: 50 megahertz 500-2000 megahertz |
dBm +27 dBm +34 |
| Tensão do controle | -8,5 ≤ 5V do ≤ VC de V |
| Temperatura de funcionamento | -40°C a +85°C |
| Temperatura de armazenamento | -65°C a +150°C |
1. Exceder todo o ou combinação destes limites pode causar permanente
dano a este dispositivo.
| Parâmetro | Condições de teste | Frequência | Unidades | Minuto | Tipo | Máximo |
| Perda de inserção (estado da referência) |
C.C. - 0,5 gigahertz C.C. -1,0 gigahertz C.C. -2,0 gigahertz |
DB DB DB |
-- -- -- |
1,5 1,6 1,8 |
1,7 1,8 2,1 |
|
| Precisão 2 da atenuação |
C.C. -1,0 gigahertz C.C. -2,0 gigahertz |
DB do ± (0,15 DB + 3% do ajuste de Atten no DB) DB do ± (0,30 DB + 4% do ajuste de Atten no DB) |
||||
| VSWR | Relação | -- | 1.2:1 | -- | ||
| Trise, Tfall | 10% a 90% RF, 90% a 10% RF | -- | nS | -- | 12 | -- |
| Tonelada, ricalhaço |
Controle de 50% a 90% RF, Controle de 50% a 10% RF |
-- | nS | -- | 18 | -- |
| Transeuntes | Em-faixa | -- | milivolt | -- | 25 | -- |
| 1 compressão do DB |
Poder entrado Poder entrado |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm do dBm |
-- -- |
20 28 |
-- -- |
| IP2 |
Medido relativo ao poder entrado (Para o dBm até +5 bicolor do poder de entrada) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm do dBm |
-- -- |
45 68 |
-- -- |
| IP3 |
Medido relativo ao poder entrado (Para o dBm até +5 bicolor do poder de entrada) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm do dBm |
-- -- |
40 50 |
-- -- |
| Controle atual | |VC| = 5 V | µA | -- | 100 | ||
2. As especificações da precisão da atenuação aplicam-se com controle diagonal negativo e baixo aterrar da indutância.
SOIC-16
Curvas de desempenho típicas