Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MOSFET eletrônico do poder do MOSFET HEXFET do canal de IRF7311TRPBF IC Chips Dual N

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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MOSFET eletrônico do poder do MOSFET HEXFET do canal de IRF7311TRPBF IC Chips Dual N

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Number modelo :IRF7311TRPBF
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :7600pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :Montagem de superfície 8-SO da disposição 20V 6.6A 2W do Mosfet
Tensão da Dreno-fonte :20 V
Tensão da Porta-fonte :±12 V
Corrente pulsada do dreno :26 A
Corrente de fonte contínua :2,5 A
Única energia da avalancha do pulso :100 mJ
Corrente da avalancha :4,1 A
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IRF7311

MOSFET do poder de HEXFET®

  • Tecnologia da geração V
  • Em-resistência ultra baixa
  • MOSFET duplo do N-canal
  • Montagem de superfície
  • Inteiramente avalancha avaliada

Descrição

A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O SO-8 foi alterado através de um leadframe personalizado para características aumentadas e a capacidade térmicas do múltiplo-dado que faz o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Com estas melhorias, os dispositivos múltiplos podem ser usados em uma aplicação com espaço dramaticamente reduzido da placa. O pacote é projetado para técnicas de solda da fase de vapor, as infravermelhas, ou da onda.

Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)

Símbolo Máximo Unidades
Tensão da Dreno-fonte VDS 20 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±12 V
… atual 1 do dreno contínuo Ta = 25°C Identificação 6,6
Ta = 70°C 5,3
Corrente pulsada do dreno IDM 26
Corrente de fonte contínua (condução do diodo) É 2,5
… máximo 1 da dissipação de poder Ta = 25°C Paládio 2,0 W
Ta = 70°C 1,3
Único ‚ 2 da energia da avalancha do pulso EAS 100 mJ
Corrente da avalancha IAR 4,1
Energia repetitiva da avalancha ORELHA 0,20 mJ
ƒ máximo 3 da recuperação dv/dt do diodo dv/dt 5,0 V/ ns
Variação da temperatura da junção e do armazenamento TJ, TSTG -55 + a 150 °C

Notas:

1. A superfície montou em 1 na placa quadrada do Cu

2. Começando TJ = 25°C, L = 12mH RG = 25Ω, IAS = 4.1A.

≤ 4.1A do ISD do ƒ 3., ≤ 92A/µs de di/dt, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ 150°C de TJ

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
IRF3707PBF 6217 IR 11+ TO-220
IRF5210PBF 2546 IR 15+ TO-220
IRF5800TRPBF 54000 IR 16+ TSOP-6
IRF6218PBF 8426 IR 06+ TO-220AB
IRF640NPBF 5610 IR 15+ TO-220
IRF640NSTRLPBF 4905 IR 16+ TO-263
IRF6638TRPBF 4492 IR 13+ SMD
IRF7303TRPBF 15463 IR 14+ SOP-8
IRF7328TRPBF 6288 IR 13+ SOP-8
IRF740B 49000 FSC 16+ TO-220
IRF740PBF 11487 IR 16+ TO-220
IRF7416TRPBF 23190 IR 16+ SOP-8
IRF7494TRPBF 9525 IR 14+ SOP-8
IRF7907TRPBF 12836 IR 13+ SOP-8
IRF8010PBF 17656 IR 16+ TO-220
IRF840PBF 14327 VISHAY 16+ TO-220
IRF8788TRPBF 21214 IR 12+ SOP-8
IRF9530NPBF 5539 IR 16+ TO-220
IRF9620PBF 3435 VISHAY 13+ TO-220
IRF9Z24N 9496 IR 16+ TO-220
IRFB3004PBF 8497 IR 09+ TO-220
IRFB31N20D 6973 IR 14+ TO-220
IRFB3207ZPBF 16234 IR 15+ TO-220
IRFB3306PBF 7959 IR 13+ TO-220
IRFB4227PBF 14319 IR 16+ TO-220
IRFB4310PBF 7645 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 5199 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 4735 IR 16+ TO-220
IRFB52N15DPBF 7716 IR 15+ TO-220
IRFI4019HG-117P 4847 IR 14+ TO-220-5

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