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Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
CS4344-CZZR | 3800 | CIRRO | 16+ | MSOP |
LTC1844ES5-3.3 | 3800 | LINEAR | 16+ | SOT23-5 |
MC33039P | 3800 | EM | 13+ | DIP-8 |
MMA7660FCR1 | 3800 | FREESCALE | 15+ | DFN-10 |
NLV32T-100J-PF | 3800 | TDK | 16+ | SMD |
PC401 | 3800 | AFIADO | 16+ | SOP-5 |
SN75179BP | 3800 | SI | 14+ | DIP8 |
STP10NK70ZFP | 3800 | ST | 14+ | TO-220 |
UC3842BD1R2G | 3800 | EM | 14+ | SOP-8 |
LM393DR | 3810 | SI | 16+ | SOP8 |
BZX84-C18 | 3820 | 16+ | SOT-23 | |
LPC2136FBD64 | 3820 | 13+ | TQFP-64 | |
LP3982IMMX-2.5 | 3821 | NS | 15+ | MSOP8 |
TOP224PN | 3821 | PODER | 16+ | DIP-8 |
TLP121 | 3822 | TOSHIBA | 16+ | SOP-4 |
IRF4905 | 3870 | IR | 14+ | TO-220 |
MC3403 | 3870 | EM | 14+ | SOP-14 |
P2504EDG | 3870 | INKO | 14+ | TO-252 |
STB16NS25 | 3870 | ST | 16+ | TO-263 |
SSM3K7002FU | 3871 | TOSHIBA | 16+ | SOT323 |
3122V | 3880 | SANYO | 13+ | TO-3P |
CD4017BCN | 3880 | NSC | 15+ | MERGULHO |
MIC842LYC5 | 3880 | MICREL | 16+ | SC70-5 |
IMZ2A | 3887 | ROHM | 16+ | SOT-163 |
EPCS4SI8N | 3888 | ALTERA | 14+ | SOP-8 |
SN74LVC1T45DCK | 3888 | SI | 14+ | SC-70-6 |
UCC2813D-2 | 3888 | SI | 14+ | SOP8 |
2SC4552 | 3900 | NEC | 16+ | TO-220 |
MC14551BDR2G | 3900 | EM | 16+ | SOP16 |
MX29LV040CQC-70G | 3900 | MXIC | 13+ | PLCC |
CY7C419/21/25/29/33
256/512/1K/2K/4K x 9 FIFO assíncrono
Características
• Primeiramente - em/primeiramente - para fora primeiras-para fora memórias de amortecedor (FIFO) assíncronas
• 256 x 9 (CY7C419)
• 512 x 9 (CY7C421)
• 1K x 9 (CY7C425)
• 2K x 9 (CY7C429)
• 4K x 9 (CY7C433)
• pilha Duplo-movida de RAM
• Independente 50.0-MHz de leitura/gravação de alta velocidade da profundidade/largura
• Baixo poder de funcionamento: ICC = 35 miliampères
• Bandeiras vazias e completas (bandeira meio cheia em autônomo)
• TTL compatível
• Retransmita em autônomo
• Expansível na largura
• MERGULHO de PLCC, de 7x7 TQFP, de SOJ, de 300 mil. e de 600 mil.
• Pacotes Pb-livres disponíveis
• Pin compatível e funcionalmente equivalente a IDT7200, a IDT7201, a IDT7202, a IDT7203, a IDT7204, a AM7200, a AM7201, a AM7202, a AM7203, e a AM7204
Descrição funcional
Os CY7C419, os CY7C420/1, os CY7C424/5, os CY7C428/9, e os CY7C432/3 são as primeiras - dentro/primeiramente - para fora primeiras-para fora memórias (FIFO) ofereceram em 600 mil. largos e em 300 pacotes largos de mil. São, respectivamente, 256, 512, 1.024, 2.048, e 4.096 palavras por 9 bocados largamente. Cada memória do FIFO é tal organizado que os dados estão lidos na mesma ordem sequencial que se escreveu. As bandeiras completas e vazias são fornecidas para impedir a excedente e o underrun. Três pinos adicionais são fornecidos igualmente para facilitar expansão ilimitada na largura, na profundidade, ou em ambos. A técnica da expansão da profundidade dirige os sinais de controle de um dispositivo a outro paralelamente, assim eliminando a adição de série de atrasos de propagação, de modo que a taxa de transferência não seja reduzida. Os dados são dirigidos de forma semelhante.
Lida e para escrever operações pode ser assíncrona; cada um pode ocorrer a uma taxa de 50,0 megahertz. Escreva a operação ocorre quando escreva (W) o sinal é BAIXO. Lido ocorre quando lido (R) vai BAIXO. As nove saídas de dados para ir ao estado da alto-impedância quando R for ALTO.
Uma bandeira meio cheia da saída (HF) é contanto que é válido nas configurações autônomas e da largura da expansão. Na configuração da expansão da profundidade, este pino fornece a informação da expansão para fora (XO) que é usada para dizer ao FIFO seguinte que estará ativado.
Nas configurações autônomas e da largura da expansão, um PONTO BAIXO no retransmite a entrada (RT) faz com que o FIFOs retransmita os dados. Read para permitir (R) e para escrever para permitir (W) deve ser ALTO durante retransmite, e R é usado então para alcançar os dados.
Os CY7C419, os CY7C420, os CY7C421, os CY7C424, os CY7C425, os CY7C428, os CY7C429, os CY7C432, e os CY7C433 são fabricados usando uma tecnologia avançada de um P-well CMOS de 0,65 mícrons. A proteção entrada do ESD é maior do que 2000V e a trava-acima são impedidos por anéis cuidadosos da disposição e de protetor.
Avaliação máxima [1]
(Acima que a vida útil pode ser danificada. Para diretrizes do usuário, não testado.)
Temperatura de armazenamento ................................. – 65°C a +150°C
Temperatura ambiental com
Poder ............................................. – 55°C aplicado a +125°C
Tensão de fonte para moer o potencial ............... – 0.5V a +7.0V
Tensão de C.C. aplicada às saídas
no estado alto ................................................ – 0.5V de Z a +7.0V
Tensão entrada ............................................ – 0.5V de C.C. a +7.0V
Dissipação de poder .......................................................... 1.0W
Corrente de saída, em saídas (BAIXO) ............................ 20 miliampères
Tensão da descarga estática ............................................ >2000V
(por MIL-STD-883, método 3015)
Corrente da trava-Acima ..................................................... >200 miliampère
Nota: 1. única fonte de alimentação: A tensão em nenhuma entrada ou em pino do I/O não pode exceder o pino do poder durante a ligação inicial.
Escala de funcionamento
Escala | Temperatura ambiental [2] | VCC |
Anúncio publicitário | 0°C a + 70°C | 5V ± 10% |
Industrial | – 40°C a +85°C | 5V ± 10% |
Militar | – 55°C a +125°C | 5V ± 10% |