Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF

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Number modelo :IRFZ44NPBF
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8700pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
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Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
STU404D 5000 SAMHOP 15+ TO252
TB6560AHQ 5000 TOSHIBA 16+ FECHO DE CORRER
TC4001BP 5000 TOSHIBA 16+ DIP-14
TCA785 5000 INFINECN 14+ MERGULHO
TCN75AVOA 5000 MICROCHIP 14+ SOIC-8
TCN75AVOA713 5000 MICROCHIP 14+ SOP8
TDA1524A 5000 16+ MERGULHO
TL072CP 5000 SI 16+ DIP8
TLP127 5000 TOSHIBA 13+ CONCESSÃO
TLP620-4 5000 TOSHIBA 15+ MERGULHO
TOP244YN 5000 PODER 16+ TO-220
TS274CDT 5000 ST 16+ SOP-14
TS924AIDT 5000 ST 14+ SOP-14
ST DE UC3844BD 5000 ST 14+ SOP8
UDA1341TS 5000 14+ SSOP28
VIPER22A 5000 ST 16+ DIP-8
VLF4012AT-4R7M1R1 5000 TDK 16+ SMD
PBSS5160T 5001 13+ SOT-23
PL2303 5001 PROLÍFICO 15+ SSOP
NDT451AN 5002 FSC 16+ SOT223
MAX1681ESA 5008 MÁXIMA 16+ SOP8
HFJ11-2450E-L12 5009 HALOELECT 14+ RJ45
L6598 5010 ST 14+ SOP16
ZM4744A 5100 VISHAY 14+ LL41
HCNW136 5101 AVAGO 16+ DIP8
CQ1565RT 5111 FAIRCHILD 16+ TO-220
FZT758TA 5111 ZETEX 13+ SOT223
LM324DR 5111 SI 15+ SOP-14
TFA9842 5112 16+ FECHO DE CORRER
MAX483ESA 5117 MÁXIMA 16+ SOP-8

IRFZ44NPbF

MOSFET do poder de HEXFET®

  • Tecnologia de processamento avançada?
  • Em-resistência ultra baixa?
  • Avaliação dinâmica de dv/dt?
  • temperatura de funcionamento 175°C?
  • Interruptor rápido?
  • Inteiramente avalancha avaliada?
  • Sem chumbo

VDSS = 55V

RDS (sobre) = 17.5mΩ

Identificação = 49A

Descrição

Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
Identificação @ TC = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 49
Identificação @ TC = 100°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 35
IDM Corrente pulsada do dreno? 160
Paládio @TC = 25°C Dissipação de poder 94 W
Fator Derating linear 0,36 W/°C
VGS Tensão da Porta-à-fonte ± 20 V
IAR Corrente da avalancha? 25
ORELHA Energia repetitiva da avalancha? 9,4 mJ
dv/dt Recuperação máxima dv/dt do diodo 5,0 V/ns

TJ

TSTG

Junção de funcionamento e

Variação da temperatura do armazenamento

-55 + a 175 °C
Temperatura de solda, por 10 segundos 300 (1.6mm do caso) °C
Montando o torque, o 6-32 ou o srew M3 10 lbf•em (1.1N•m)

Esboço do pacote de TO-220AB

As dimensões são mostradas nos milímetros (as polegadas)

Informação de marcação da peça de TO-220AB

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