Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar

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Number modelo :MJD112T4G
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8600pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :Transistor (BJT) bipolar NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 uma montagem de superfície DPAK de 25MHz 20 W
Tensão de Collector−Emitter :100 VDC
Tensão de Base do Coletor :100 VDC
Tensão de Emitter−Base :5 VDC
Corrente baixa :mAdc 50
Dissipação de poder total @ TC = 25°C :20 W
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento :−65 ao °C +150
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Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

DarliCM GROUPon Power Transistors complementar

DPAK para as aplicações de superfície da montagem

TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE

2 AMPÈRES

100 VOLTS

20 WATTS

Projetado para o poder de uso geral e a comutação tal como fases da saída ou de motorista nas aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores, e amplificadores de potência.

Características

• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

• Ligação formada para as aplicações de superfície da montagem nas luvas plásticas (nenhum sufixo)

• Versão reta da ligação nas luvas plásticas (sufixo “−1”)

• Versão formada ligação na fita de 16 milímetros e no carretel (“T4” e sufixo de “RL”)

• Eletricamente similar à série TIP31 e TIP32 popular

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação Símbolo Máximo Unidade
Tensão de Collector−Emitter VCEO 100 VDC
Tensão de Collector−Base VCB 100 VDC
Tensão de Emitter−Base VEB 5 VDC

− da corrente de coletor contínuo

Pico

IC

2

4

CAD
Corrente baixa IB 50 mAdc

Dissipação de poder total @ TC = 25°C

Derate acima de 25°C

Paládio

20

0,16

W

W/°C

Poder total Dissipation* @ Ta = 25°C

Derate acima de 25°C

Paládio

1,75

0,014

W

W/°C

Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento TJ, Tstg −65 a +150 °C

As avaliações máximas são aqueles valores além de que dano do dispositivo pode ocorrer. As avaliações máximas aplicaram-se ao dispositivo são valores de limite individuais do esforço (condições operacionais não normais) e são inválidas simultaneamente. Se estes limites são excedidos, a operação funcional do dispositivo não está implicada, dano pode ocorrer e a confiança pode ser afetada.

DIAGRAMAS DE MARCAÇÃO

DIMENSÕES DO PACOTE

DPAK

CASO 369C

EDIÇÃO O

DPAK−3

CASO 369D−01

EDIÇÃO B

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