Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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GaAs novo & original Ired do transistor do Mosfet do poder TLP734 & transistor da foto

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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GaAs novo & original Ired do transistor do Mosfet do poder TLP734 & transistor da foto

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Number modelo :TLP734
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :6800pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :Canal 6-DIP da saída 4000Vrms 1 do transistor do Optoisolator
Temperatura de armazenamento :?-55~125 °C
Temperatura de funcionamento :?-40~100 °C
Temperatura de solda da ligação (10 s) :°C 260
Dissipação de poder total do pacote :250 mW
Dissipação de poder total do pacote que derating (≥ de Ta 25°C) :-? 2,5 mW/°C
Tensão do isolamento :4000 Vrms
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Photocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor de TOSHIBA

TLP733, TLP734

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Fonte de alimentação de comutação

TOSHIBA TLP733 e TLP734 consiste em um photo−transistor acoplado opticamente a um diodo emitindo-se infravermelho do arsenieto de gálio no MERGULHO plástico de seis ligações.

TLP734 é conexão interna do no−base para ambientes do high−EMI.

  • Tensão de Collector−emitter: 55 V (mínimos)?
  • Relação de transferência atual: 50% (mínimo)
    • Grau GB: 100% (mínimo)?
  • O UL reconheceu: UL1577, no. E67349 do arquivo?
  • O BSI aprovou: BS EN60065: 1994
    • No. 7364 do certificado
    • BS EN60950: 1992
    • No. 7365 do certificado?
  • SEMKO aprovou: SS4330784
    • No. 9325163 do certificado, 9522142?
  • Tensão do isolamento: 4000 Vrms (mínimo)?
  • Tipo da opção (D4)
    • O VDE aprovou: RUÍDO VDE0884/06,92,
      • No. 74286 do certificado, 91808
    • Tensão de funcionamento máxima da isolação: 630, 890 VPK
    • O mais altamente permissível sobre a tensão: 6000, 8000 VPK

(Nota) quando um VDE0884 aprovou o tipo é necessário, designa por favor a “opção (D4)”

passo de 7,62 milímetros passo de 10,16 milímetros

corrente Tipo de TLP×××F?

Distância de dispersão : 7,0 milímetros (mínimo) 8,0 milímetros (mínimo)

Afastamento : 7,0 milímetros (mínimo) 8,0 milímetros (mínimo)

Trajeto interno da dispersão : 4,0 milímetros (mínimo) 4,0 milímetros (mínimo)

Espessura da isolação : 0,5 milímetros (mínimo) 0,5 milímetros (mínimo)

Avaliações máximas (Ta = 25°C)

Característica Símbolo Avaliação Unidade
Diodo emissor de luz Corrente dianteira SE 60 miliampère
Derating atual dianteiro (≥ de Ta 39°C) ∆IF/°C ? -0,7 miliampère/°C
Pico para a frente atual (pulso de 100 µs, 100 pps) IFP 1
Tensão reversa VR 5 V
Temperatura de junção Tj 125 °C
Detector Coletor? tensão do emissor VCEO 55 V
Coletor? tensão baixa (TLP733) VCBO 80 V
Emissor? tensão de coletor VECO 7 V
Emissor? tensão baixa (TLP733) VEBO 7 V
Corrente de coletor IC 50 miliampère
Dissipação de poder PC 150 mW
Dissipação de poder que derating (≥ de Ta 25°C) ∆PC/°C -1,5 mW/°C
Temperatura de junção Tj 125 °C
Variação da temperatura do armazenamento Tstg -? 55~125 °C
Variação da temperatura de funcionamento Topr ? -40~100 °C
Temperatura de solda da ligação (10 s) Tsol 260 °C
Dissipação de poder total do pacote Pinta 250 mW
Dissipação de poder total do pacote que derating (≥ de Ta 25°C) ∆PT/°C -2,5 mW/°C
Tensão do isolamento (C.A., 1 mínimo, R.H.≤ 60%) BVS 4000 Vrms

Peso: 0,42 g

Pin Configurations (vista superior)

TLP733

1: Ânodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emissor 5: Coletor 6: Base

TLP734

1: Ânodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emissor 5: Coletor 6: Nc

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