A TENSÃO do transistor do Mosfet do poder de MLP1N06CLG APERTOU o mosfe de LIMITAÇÃO ATUAL do poder do rf dos transistor do mosfet do poder superior do MOSFET

MOSFET limitado internamente apertado, atual do poder do nível da lógica do N-canal

Estes dispositivos de SMARTDISCRETES caracterizam atual limitando para breve - a proteção de circuito, uma braçadeira integral da porta-à-fonte para a proteção do ESD e a braçadeira do porta-à-dreno para a proteção da sobretensão. Nenhuma resistência de série adicional da porta é exigida quando conectar à saída de um MCU, mas a um resistor do pulldown da porta de 40 kΩ é recomendado evitar uma condição de flutuação da porta.

As braçadeiras internas da porta-à-fonte e do porta-à-dreno permitem que os dispositivos sejam aplicados sem uso de componentes transientes externos da supressão. Porta-à braçadeira da fonte protege a entrada do MOSFET dos esforços de tensão eletrostáticos da porta até 2,0 quilovolts. A braçadeira do porta-à-dreno protege o MOSFET escoa os esforços da avalancha do dreno que ocorrem com cargas indutivas. Este projeto original fornece o aperto da tensão que é essencialmente independente da temperatura de funcionamento.

• A braçadeira compensada temperatura do Porta-à-dreno limita o esforço de tensão aplicado ao dispositivo e protege a carga da sobretensão

• Proteção integrada do diodo do ESD

• O interruptor controlado minimiza o IRF

• A baixa tensão do ponto inicial permite cargas de conexão do poder aos microprocessadores

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE