Os ISL9R3060G2 e os ISL9R3060P2 são diodos de Stealth™ aperfeiçoados para o desempenho de pequenas perdas em aplicações comutadas duras de alta frequência. A família de Stealth™ exibe a baixa corrente de recuperação reversa (IRRM) e a recuperação excepcionalmente macia sob condições operacionais típicas.

Este dispositivo é pretendido para o uso como um diodo livre da roda ou do impulso em fontes de alimentação e em outras aplicações de comutação do poder. O baixo IRRM e a fase curto de Ta para reduzir a perda em transistor de interruptor. A recuperação macia minimiza a soada, expandindo a escala das circunstâncias sob que o diodo pode ser operado sem o uso de circuitos adicionais do retentor. Considere usar o diodo de Stealth™ com um SMPS IGBT para fornecer o projeto da densidade de poder o mais eficiente e o mais alto em mais barato.

Tipo anteriormente desenvolvente TA49411.

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Diodo de Schottky do sinal do discrição⑩ de ISL9R3060P2 30A 600V, modelo do diodo dobro

Microplaqueta de IC da memória Flash

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microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Diodo de Schottky do sinal do discrição⑩ de ISL9R3060P2 30A 600V, modelo do diodo dobro

ISL9R3060G2, ISL9R3060P2 30A, diodo de 600V Stealth™

in5408 diode

diode in5408

diode 1n5402