Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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TPS51916EVM-746 DDR2 completo fanfarrão síncrono GRM32ER60J107ME20L da solução do poder da memória DDR3L e DDR4 de DDR3

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
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TPS51916EVM-746 DDR2 completo fanfarrão síncrono GRM32ER60J107ME20L da solução do poder da memória DDR3L e DDR4 de DDR3

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Number modelo :GRM32ER60J107ME20L
Lugar de origem :original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :290PCS
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :TPS51916 D-CAP™, objetivo especial DC/DC de D-CAP2™, fonte 1 da memória da RDA, placa de avaliação N
Escala da tensão :12 V
Corrente de entrada máxima :4,21 A
corrente de entrada da Nenhum-carga :0,1 miliampères
Ondinha da tensão da saída :mVpp 20
Temperatura de funcionamento :ºC 25
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Usando solução Buck Controller síncrono do poder da memória completo, DDR3, DDR3L, e DDR4 de TPS51916EVM-746 DDR2, 2-A LDO, referência protegida

Descrição

O TPS51916EVM-746 é projetado usar um ônibus 12-V regulado para produzir uma saída 1.5-VDDQ regulada até em uma corrente da carga 20-A. O TPS51916EVM-746 demonstra TPS51916 em uma aplicação DDR3 típica com operação de D-CAP2™-mode. O EVM igualmente fornece pontos de teste para avaliar o desempenho do TPS51916.

Aplicações típicas

• Fontes de alimentação da memória DDR2/DDR2/DDR3L/DDR4

• Terminação de SSTL_18, de SSTL_15, de SSTL_135, e de HSTL

Características

As características TPS51916EVM-746:

• Operação de D-CAP2™-mode com o capacitor todo-cerâmico da saída de VDDQ

• corrente de saída de estado estacionário de 20-Adc VDDQ

• Partida dos prebias do apoio VDDQ

• SW1 e SW2 fornecem S3, controle de poder S5

• Tensão externo opcional de VLDOIN para a eficiência e a operação flexível

• Pontos de teste convenientes para sondar formas de onda críticas

4,2 instalação de teste recomendada

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