KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo FDS8958A_F085

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo FDS8958A_F085

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Número da peça :FDS8958A_F085
Fabricante :Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição :MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :Automotivo, AEC-Q101, PowerTrench®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações FDS8958A_F085

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 7A, 5A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 28 mOhm @ 7A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 575pF @ 15V
Poder - máximo 900mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SO
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento FDS8958A_F085

Detecção

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