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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7540DP-T1-GE3

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7540DP-T1-GE3

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Número da peça :SI7540DP-T1-GE3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descrição :MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :TrenchFET®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações SI7540DP-T1-GE3

Estado da parte Compra da última vez
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 12V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 7.6A, 5.7A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 1.4W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso PowerPAK® SO-8 duplo
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8 duplo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SI7540DP-T1-GE3

Detecção

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