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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CSD87350Q5D

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CSD87350Q5D

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Número da peça :CSD87350Q5D
Fabricante :Texas Instruments
Descrição :MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :NexFET™
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de CSD87350Q5D

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 40A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 5,9 mOhm @ 20A, 8V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 10.9nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1770pF @ 15V
Poder - máximo 12W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-PowerLDFN
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-LSON (5x6)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de CSD87350Q5D

Detecção

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