KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo AOD609

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo AOD609

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Número da peça :AOD609
Fabricante :& alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição :MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações AOD609

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N e P-canal, dreno comum
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 12A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 30 mOhm @ 12A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 10.8nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 650pF @ 20V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-252-5, DPak (4 ligações + abas), TO-252AD
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-252-4L
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento AOD609

Detecção

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