KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLD6G21L-50,112

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País / Região:china
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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLD6G21L-50,112

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Número da peça :BLD6G21L-50,112
Fabricante :Ampleon EUA Inc.
Descrição :FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A do RF
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações BLD6G21L-50,112

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS (duplo), fonte comum
Frequência 2.02GHz
Ganho 14.5dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual 10.2A
Figura de ruído -
Atual - teste 170mA
Saídas de potência 8W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT-1130A
Pacote do dispositivo do fornecedor CDFM4
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento BLD6G21L-50,112

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLD6G21L-50,112Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLD6G21L-50,112Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLD6G21L-50,112Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLD6G21L-50,112

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