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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI1443EDH-T1-GE3 únicos

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País / Região:china
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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI1443EDH-T1-GE3 únicos

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Número da peça :SI1443EDH-T1-GE3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descrição :MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série :TrenchFET®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações SI1443EDH-T1-GE3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 4A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 28nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Vgs (máximo) ±12V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 54 mOhm @ 4.3A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT-363
Pacote/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SI1443EDH-T1-GE3

Detecção

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