KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD5NM60T4 únicos

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País / Região:china
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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD5NM60T4 únicos

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Número da peça :STD5NM60T4
Fabricante :STMicroelectronics
Descrição :MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série :MDmesh™
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações STD5NM60T4

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 5A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 400pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 96W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1 ohm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor D-Pak
Pacote/caso TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STD5NM60T4

Detecção

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