KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Transistor IGBTs do módulo de poder de FGD3N60LSDTM IGBT único

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País / Região:china
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Transistor IGBTs do módulo de poder de FGD3N60LSDTM IGBT único

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Número da peça :FGD3N60LSDTM
Fabricante :Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição :IGBT 600V 6A 40W DPAK
Categoria :Transistor - IGBTs - únicos
Família :Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de FGD3N60LSDTM

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 6A
Atual - coletor pulsado (Icm) 25A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 1.5V @ 10V, 3A
Poder - máximo 40W
Energia de comutação 250µJ (sobre), 1mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 12.5nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 40ns/600ns
Condição de teste 480V, 3A, 470 ohms, 10V
Tempo de recuperação reversa (trr) 234ns
Temperatura de funcionamento -
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Pacote do dispositivo do fornecedor D-Pak
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de FGD3N60LSDTM

Detecção

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