KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Transistor IGBTs do módulo de poder de FGA25N120ANTDTU_F109 IGBT único

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País / Região:china
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Transistor IGBTs do módulo de poder de FGA25N120ANTDTU_F109 IGBT único

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Número da peça :FGA25N120ANTDTU_F109
Fabricante :Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição :IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Categoria :Transistor - IGBTs - únicos
Família :Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações FGA25N120ANTDTU_F109

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT NPT e trincheira
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 50A
Atual - coletor pulsado (Icm) 90A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.65V @ 15V, 50A
Poder - máximo 312W
Energia de comutação 4.1mJ (sobre), 960µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 200nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 50ns/190ns
Condição de teste 600V, 25A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 350ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-3P
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento FGA25N120ANTDTU_F109

Detecção

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