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Transistor IGBTs do módulo de poder de IXST30N60CD1 IGBT único

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País / Região:china
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Transistor IGBTs do módulo de poder de IXST30N60CD1 IGBT único

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Número da peça :IXST30N60CD1
Fabricante :IXYS
Descrição :IGBT 600V 55A 200W TO268
Categoria :Transistor - IGBTs - únicos
Família :Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações IXST30N60CD1

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 55A
Atual - coletor pulsado (Icm) 110A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.5V @ 15V, 30A
Poder - máximo 200W
Energia de comutação 700µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 100nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 30ns/90ns
Condição de teste 480V, 30A, 4,7 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 50ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-268-3, ³ Pak de D (2 ligações + abas), TO-268AA
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-268
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IXST30N60CD1

Detecção

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