Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

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Number modelo :JDCD01-001-008
Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000pcs/Month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Dimensões :² de 5 x de 10mm
Espessura :350 ±25µm
TTV :≤ 10µm
Curva :- ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm
Densidade macro do defeito :² 0cm⁻
Nome do produto :GaN Epitaxial Wafer
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a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">


Vista geral
Estas bolachas de GaN realizam diodos láser ultra-brilhantes inauditos e os dispositivos de poder de grande eficacia para o uso nas fontes luminosas do projetor, nos inversores para veículos elétricos, e nas outras aplicações.
As características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para aplicações do LD (violeta, azul e verde).

M enfrenta carcaças autônomas de GaN
Artigo

GaN-FS-M-U-s

GaN-FS-M-n-s

GaN-FS-m-SI-s

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

Observações:

Um ângulo circular do arco (R < 2="" mm="">

Dimensões 5 x 10 milímetros2
Espessura µm 350 ±25
Orientação

Plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a Um-linha central 0 ±0.5°

Plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a C-linha central - 1 ±0.2°

Tipo da condução N-tipo N-tipo Semi-isolamento
Resistividade (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm do ≤ 10
CURVA - 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm
Front Surface Roughness

< 0="">

ou < 0="">

Aspereza de superfície traseira

0,5 μm ~1,5

opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">

Densidade de deslocação De 1 x 105 a 3 x 106 cm2
Densidade macro do defeito 0 cm2
Área útil > 90% (exclusão da borda)
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio

Apêndice: O diagrama do ângulo do miscut

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

Se o grau ±0.5 do δ1 = 0, a seguir o plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a Um-linha central são 0 graus ±0.5.

Se δ2 = - 1 grau ±0.2, a seguir o plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a C-linha central são - 1 grau ±0.2.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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