Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

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Number modelo :JDCD01-001-010
Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000pcs/Month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Dimensões :² de 5 x de 10mm
Espessura :350 ±25µm
Orientação :(10- 11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° (10- 11) plano fora do ângulo em direção
TTV :≤ 10µm
Curva :≤ 10µm da CURVA do ≤ de -10µm
Densidade macro do defeito :² 0cm⁻
Área útil :> 90% (exclusão da borda)
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a SP-cara 5*10.5mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">

As redes adversarial Generative (GANs) são as arquiteturas algorítmicas que usam duas redes neurais, picada uma contra o outro (assim o “adversarial ") a fim gerar exemplos novos, sintéticos dos dados que podem passar para dados reais. São usados extensamente na geração da imagem, na geração video e na geração da voz.

(10- 11) enfrente carcaças autônomas de GaN
Artigo

GaN-FS-SP-U-s

GaN-FS-SP-N-s

GaN-FS-SP-SI-s

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Observações:

Um ângulo circular do arco (R < 2="" mm="">

Dimensões 5 x 10 milímetros2
Espessura µm 350 ±25
Orientação

(10 - 11) plano fora do ângulo para a Um-linha central 0 ±0.5°

(10 - 11) plano fora do ângulo para a C-linha central - 1 ±0.2°

Tipo da condução N-tipo N-tipo Semi-isolamento
Resistividade (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm do ≤ 10
CURVA - 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm
Front Surface Roughness

< 0="">

ou < 0="">

Aspereza de superfície traseira

0,5 μm ~1,5

opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">

Densidade de deslocação De 1 x 105 a 3 x 106 cm2
Densidade macro do defeito 0 cm2
Área útil > 90% (exclusão da borda)
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio

Apêndice: O diagrama do ângulo do miscut

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Se ±0.5°do δ1 = 0, a seguir (10 - 11) o plano fora do ângulo para a Um-linha central são 0 ±0.5°.

Se δ2 = - 1 ±0.2°, a seguir (10 - 11) o plano fora do ângulo para a C-linha central são - 1 ±0.2°.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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