Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado

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Number modelo :JDCD01-001-005
Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000pcs/Month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Nome do produto :Única carcaça de cristal de GaN
Dimensões :² de 5 x de 10mm
Espessura :350 ±25µm
Orientação :Um plano (11-20) fora do ângulo para o plano da M-linha central 0 ±0.5° A (11-20) fora do ângulo par
TTV :≤ 10µm
Curva :- ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm
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5*10,5 mm2 A-face Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentação/wafer de laser


Visão geral

A densidade de potência é bastante aprimorada em dispositivos de nitreto de gálio em comparação com os de silício porque o GaN tem a capacidade de sustentar frequências de comutação muito mais altas.Ele também tem uma maior capacidade de suportar temperaturas elevadas.

A fás Free-standeung GaN Substrates
Item GaN-FS-AUS GaN-FS-ANS GaN-FS-A-SI-S

Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado

Observações:

Um ângulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir a superfície frontal e posterior.

Dimensões 5 x 10 mm2
Grossura 350 ±25 µm
Orientação

Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ±0,5°

Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C - 1 ± 0,2°

Tipo de Condução tipo N tipo N Semi-isolante
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidade da Superfície Frontal

< 0,2 nm (polido);

ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Rugosidade da Superfície Traseira

0,5 ~1,5 μm

opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)

Densidade de Deslocamento De 1 x 105para 3 x 106cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área Útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio

Apêndice: O diagrama do ângulo de corte incorreto

Substrato monocristal de GaN de gálio, tipo N, de face livre, não dopado

Se δ1= 0 ±0,5°, então o plano A (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M é 0 ±0,5°.

Se δ2= - 1 ±0,2°, então o plano A (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C é - 1 ±0,2°.

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
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ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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