Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

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Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

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Number modelo :JDCD01-001-020
Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000pcs/Month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Nome do produto :carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada
Dimensões :50,0 ±0.3mm
Espessura :400 ± 30μm
Plano da orientação :(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm
TTV :≤ 15µm
Curva :≤ 20μm
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(1 - 100) ±0.1o, ± 12,5 carcaças autônomas GaN-FS-C-N-C50-SSP de 1 N-GaN de 2-polegada do milímetro

a C-cara 2inch Si-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">

O crescimento de filmes Si-lubrificados μm-grossos de 1 GaN foi executado por PSD com o magnétron pulsado que engasga fontes em uma atmosfera de N2/Ar. O si que lubrifica a concentração em GaN foi controlado do   1020 do   do × do   do   1016 a 2 do × de 2   cm −3 variando o fluxo do vapor do si de uma fonte monocristalina de circuito integrado do si.


No estudo, nós investigamos como as propriedades elétricas de GaN se prepararam por PSD dependem do si que lubrifica concentrações usando medidas de efeito hall temperatura-dependentes.

carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada

Nível da produção (P)

Pesquisa (R)

Manequim (D)

12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

Nota:

(1) 5 pontos: os ângulos do miscut de 5 posições são 0,55 ±0.15o

(2) 3 pontos: o miscut dobra das posições (2, 4, 5) é 0,55 ±0.15o

(3) áreas úteis: exclusão da periferia e de defeitos macro (furos)

P+ P P
Artigo GaN-FS-C-N-C50-SSP
Dimensões 50,0 ±0.3 milímetro
Espessura 400 μm do ± 30
Plano da orientação (1 - 100) ±0.1o, ± 12,5 1 milímetro
TTV μm do ≤ 15
CURVA μm do ≤ 20
Resistividade (300K) ≤ 0,02 Ω·cm para o N-tipo (Si-lubrificado)
Aspereza de superfície da cara de GA ≤ um tratamento lustrado e de superfície de 0,3 nanômetros (para a epitaxia)
Aspereza de superfície da cara de N 0,5 μm ~1,5 (único lado lustrado)
Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central (ângulos do miscut)

0,55 ± 0,1o

(5 pontos)

0.55± 0,15o

(5 pontos)

0,55 ± 0,15o

(3 pontos)

Rosqueando a densidade de deslocação ≤ 7,5 x 105 cm2 ≤ 3 x 106 cm2
Número e tamanho máximo dos furos em Ф47 milímetro no centro 0 μm de 3@1000 do ≤ μm de 12@1500 do ≤ μm de 20@3000 do ≤
Área útil > 90% >80% >70%
Pacote Empacotado em uma sala de limpeza no único recipiente da bolacha

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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