Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

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Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

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Number modelo :JDWY03-001-031
Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000pcs/Month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Nome do produto :azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz
Espessura :650 ± 25μm
Tipo :Safira lisa
Polonês :Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Dimensão :100 ± 0.2mm
Orientação :Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
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azul da GaN-Em-safira 4inch/± liso da safira 100 bolacha verde do diodo emissor de luz 0,2 milímetros

bolacha epitaxial azul do diodo emissor de luz GaN de 4 polegadas na safira SSP



O ingrediente chave para o diodo emissor de luz azul é nitreto do gálio, um material robusto com uma grande separação da energia, ou ‘diferença’, entre elétrons e furos -- esta diferença é crucial em ajustar a energia dos fotão emissores para produzir a luz azul.
Os diodos luminescentes (diodo emissor de luz) fabricaram do nitreto do gálio (GaN) conduziram à realização da iluminação de circuito integrado branca de grande eficacia.

Um outro problema grave em produzir o diodo emissor de luz azul era a dificuldade em GaN delubrificação com precisão. No final dos anos 80, Amano e Akasaki descobriram que quando GaN foi lubrificado com átomos do zinco, ele se emitiram mais luz e assim este deu a melhor p-lubrificação. Este os fenômenos foram explicados mais tarde em um artigo por Nakamura.

azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz

Carcaça

Tipo Safira lisa

safira lisa da bolacha do diodo emissor de luz do verde de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

Polonês Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Dimensão ± 100 0,2 milímetros
Orientação Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
Espessura 650 μm do ± 25

Epilayer

Estrutura uGaN de 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm
Espessura 5,5 ± 0.5μm
Aspereza (Ra) <0>
Densidade de deslocação < 5="">8 cm2
Comprimento de onda Diodo emissor de luz azul Diodo emissor de luz verde
465 ± 10 nanômetro 525 ± 10 nanômetro
Comprimento de onda FWHMs < 25="" nm=""> < 40="" nm="">
Chip Performance Corte-no μA de voltage@1 2.3-2.5V 2.2-2.4V
Área útil > 90% (borda e exclusão macro dos defeitos)

Pacote

Empacotado em uma sala de limpeza em um único recipiente da bolacha

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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