Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Produtos / SiC Epitaxial Wafer / Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário /

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Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
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Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário

Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário
  • Substrato tipo 4H SiC N de 6 polegadas 47,5 mm Sem plano secundário
OS produtos detalhados
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